توزیع چگالی جریان الکتریکی و میدان مغناطیسی در دستگاه های ابررسانای چند نواره با استفاده از مفاهیم میدان های مغناطیسی مختلط
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک
- author رضا شیخی
- adviser علی اکبر بابایی بروجنی پیمان صاحب سرا
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1392
abstract
در این پایان نامه در نظر داریم توزیع میدان مغناطیسی و جریان الکتریکی را در یک مجوعه از نوار های ابررسانای هم صفحه، با تعداد نوار های دلخواه به دست آوریم. دو پیکربندی مشخص در نظر گرفته شده است، که در یکی، انتهای نوار ها به گونه ای به یکدیگر متصل شده که مجموعه تشکیل یک حلقه ابررسانا را می دهد و در دیگری سیستمی به صورت خطوط انتقال در نظر خواهیم گرفت. سیستمی که به صورت یک حلقه در آمده را در یک میدان عمود بر صفحه آن قرار خواهیم داد وبا استفاده از آنالیز مختلط توزیع میدان در صفحه نوارها را به دست می آوریم وبرای سیستم هایی با تعداد نوارهای مختلف رسم خواهیم کرد. اگر تعداد نوارهای تشکیل دهنده سیستم را با 2n نشان دهیم و پهنای نوارها و گاف هارا برابر انتخاب کنیم آنگاه برای یک پیکربندی با n زوج، نشان می دهیم که با افزایش تعداد نوارها میزان شار عبوری از شکاف مرکزی افزایش خواهد یافت و سیستم شار اعمالی را در حفره مرکزی کانونی خواهد ساخت. در صورتی که n فرد باشد میزان شار عبوری از شکاف مرکزی بسیار اندک خواهد بود و شکاف های مجاور شکاف مرکزی هستند که عمده شار را از خود عبور می دهند. همچنین نشان خواهیم داد که اگر پهنای حفره مرکزی را ثابت فرض کنیم و پهنای نوارها و دیگر گاف ها را به صورت برابر انتخاب کنیم، میزان شار عبوری از شکاف مرکزی با افزایش تعداد نوارها کاهش خواهد یافت(برای سیستمی با n های زوج). در پیکربندی مربوط به خطوط انتقال میدان مغناطیسی خاموش است و این جریان الکتریکی است که از خارج سیستم به نمونه اعمال می شود. در این مرحله نیز با استفاده از آنالیز مختلط توزیع میدان مغناطیسی و جریان الکتریکی را برای سیستم هایی با تعداد نوارهای مختلف رسم خواهیم کرد، همچنین نشان خواهیم داد که سهم نوار های مرکزی سیستم از جریان کل اعمالی، بیشتر از سهم نوارهای جانبی از این جریان خواهد بود.در نهایت به بررسی میزان القائیدگی در خطوط انتقال می پردازیم و نشان خواهیم داد که با افزایش تعداد نوارهای ابررسانا در سیستم میزان القائیدگی افت خواهد کرد و سیستم در شرایط مساعد تری برای عبور جریان الکتریکی قرار خواهد گرفت(در سیستمی که پهنای گاف ها و نوارها برابر است).
similar resources
وابستگی مقاومت الکتریکی سیمهای باریک به میدان مغناطیسی و دما
Variation of electrical resistivity of Bismuth nanowire versus magnetic field the and temperature are considered. We study the size effect and surface scattering of the carrier in thin wire for systems with ellipsoidal fermi surfaces. Results are in good agreement with experimental points.
full textطراحی و ساخت دستگاه اندازه گیری شدت میدان های الکتریکی و مغناطیسی به منظور ارزیابی سلامت شاغلین و مردمِ در معرض این میدان ها
In the extremely low frequency range (3 to 300 Hz), the intensities of electric and magnetic fields increase with increasing voltage and current. If the intensities of electric and magnetic fields are high compared with standard exposure limits, they can have harmful effects on human health. In the vicinity of power lines and high voltage power stations, the intensities of these fields are usua...
full textجداسازی بی‌هنجاری میدان مغناطیسی با استفاده از تجزیه مد تجربی
تجزیه مُد تجربی(EMD) یکی از ابزارهای جدید برای تجزیه و تحلیل سیگنالها است. از این ابزار در روشهای میدان پتانسیل در جداسازی بیهنجاریهای ناحیهای از محلی استفاده میشود. از روشهای متداول برای جداسازی میتوان به روش پنجره میانگین متحرک و تحلیل روند اشاره کرد که روشهایی نیمهخودکار هستند. به‌عبارت‌دیگر نظر مفسر به‌طور مستقیم در نتایج تاثیرگذار است. اساس روش EMD پالایش مکانی یا زمانی سیگنال برح...
full textبررسی شدت میدان های مغناطیسی و الکتریکی اطراف رایانه های مورد استفاده و تاثیر آن بر سلامت کاربران
Background and aimsIntensity of Magnetic and Electric fields around visual displayterminals and its association on health effects were studied.Methodsmagnetic and electric fields intensities around 237 VDTs at distances 30¡50¡ 60 cm and different operating conditions (active¸ screen saver¸ shut down) with use of HI-3603 device according to Svensk standard method were monitored. Resultsmagnetic...
full textارزیابی اثرات بهداشتی ناشی از میدان های مغناطیسی و الکتریکی پایانه های نمایشگر تصویری در کاربران این دستگاه در دانشگاه علوم پزشکی تهران
اولین مشاهدات و شکایات در زمینه اثرات زیان آور ناشی از مواجه با پایانه های نمایشگر تصویری به سال های بعد از 1970 مربوط می شود. اکثرشکایات و ادعاهای کاربران در مورد عوارض و ضایعات ناشی از مواجه با میدان های مغناطیسی و الکتریکی منتشره از VDT شامل: ضایعات چشمی، جوش ها و خارش پوستی، ناتوانی های جنسی- تناسلی، تاثیر بر شیوع سقط جنین خود به خودی، کاهش وزن نوزادان و ضایعات دوران بارداری در میان کاربران...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023